Gaasi{0}}faasi süsinikkiudude tootmist on kahte tüüpi: substraadi meetod ja gaasi-faasivoolu meetod.
Substraadi meetod
Katalüsaator pihustatakse või kaetakse eelnevalt-keraamilisele või grafiidist aluspinnale. Katalüsaatoriga{2}}laetud substraat asetatakse seejärel kvartsist või korundist reaktsioonitorusse. Madala süsinikusisaldusega süsivesinike või aromaatsete ainete ja vesiniku segu juhitakse reaktsioonitorusse ja lastakse läbi substraadi 1100 kraadi juures. Katalüsaatorosakestele moodustunud süsinikkiud kasvavad kiirusega 30–50 mm/min, saades süsinikkiud läbimõõduga 1–100 μm ja pikkusega 300–500 mm. Tavaliselt kasutatavad katalüsaatorid hõlmavad raua ja nikli mikroosakesi ning raudnitraadi lahust. Kui toorainena kasutatakse atsetüleeni ja vesiniku segu, mis juhitakse läbi nikliplaadi või niklipulbri katalüsaatori 750 kraadi juures, võib saada spiraalseid süsinikkiude. See meetod on partii tootmisprotsess, mille saagis on väga madal, ligikaudu 10%.
Gaasi{0}}faasivoolu meetod
Kolmekomponentne segusüsteem moodustub selliste toorainete kombineerimisel, nagu vähese süsinikusisaldusega{0}}süsivesinikud, aromaatsed süsivesinikud ja alitsüklilised süsivesinikud ülipeente raua-, koobalti- ja nikliosakeste ning vesinikuga. 1100–1400 kraadi juures redutseeritakse raua- või nikliosakesed vesiniku toimel tekkivateks sulametallipiiskadeks. Rauaosakeste katalüsaatori tilkade alla moodustuvad õõnsad lineaarsed süsinikkiud, nikliosakeste katalüsaatori tilkade all aga spiraalsed süsinikkiud. Selle meetodiga saab toota süsinikkiude läbimõõduga 0,5–1,5 μm ja pikkusega mitu millimeetrit, mille tõmbetugevus ulatub 5000 MPa ja tõmbemoodulid 650 GPa.
